7月3日，迪斯科（Disco）宣布，他們針對GaN單晶切片開發了一種激光切割優化工藝KABRA，不但可以增加晶圓切片數量，還可以大幅減少切片加工時間。

金剛石線切割一直是氮化鎵晶錠切割的主要方法。然而，這種線切技術有幾個問題，加工時間、切割材料損失，以及切割表面不平整，需要配套研磨工藝，所以導致出片數量少，造成晶圓成本高昂，阻礙了氮化鎵功率器件的普及。

(資料圖片)

迪斯科表示，自從他們發布了用于SiC晶錠切割的KABRA工藝后，他們收到了許多制造商提出的氮化鎵設備要求，為此他們繼續研究和開發了針對氮化鎵的優化KABRA工藝，這次發布新工藝是他們開發大規模生產技術的第一步。

據介紹，相較于線切割技術，他們的KABRA工藝具有出片數更多、加工時間更短等優勢。

●切割出片數量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數量增加了37.5%。

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●加工時間方面，采用傳統工藝，5mm厚度的氮化鎵晶錠大約耗時大約25小時，而KABRA工藝只需3小時左右，相較之下單個晶錠的切割時間可以節省88%。同時還可以節省后續的研磨時間。

用于氮化鎵晶圓大規模生產的KABRA工藝流程如下：

1.在晶錠內部進行激光輻照，形成KABRA層

2.剝離襯底片

3.將襯底片精磨至指定厚度

4.為下一次激光輻照研磨晶錠頂部表面

KABRA工藝流程

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